东芝上周表示已研发新型闪存制造技术，并且在15nm线幅的内存回路中试作成功。这代表未来在不改变现有闪存的尺寸下，最大可产制100GB容量的闪存产品。

　　东芝在发表会中说明，目前将以5年内技术实用化为目标持续进行研发，届时数码相机等使用闪存的产品在容量方面都将有5～6倍以上的提升。

　　此技术使用球径1.2nm的硅结晶体与1nm的氧化物薄膜制造出双层连接构造，利用不同电压让薄膜抵抗性大幅变化，藉此兼顾长时间记忆保存和高速写入/删除的效能。

　　在提升电荷蓄积量方面将以往氮化硅（silicon nitride）Si3N4的调制比率更改为Si9N10，在实验中逐步调整各组件与装置后，验证试作品可维持10年以上的记忆性能。

　　本技术已在12/10美国华盛顿州举办的国际电子组件会议IEDM中正式发表。